MEMSメモリ
概要
編集いずれも不揮発性メモリで従来のフラッシュメモリ等の半導体記憶素子とは異なる原理で作動する。現在のHDDでは熱擾乱による磁化の消失の顕在化により、近い将来限界に達すると言われているので走査型プローブ顕微鏡の技術を応用することで1Tbit/inch2を超える記録密度を持つ次世代の超高密度メモリの実現に向けて開発が進められる[1]。
種類
編集複数の形式がある[1]。
陽極酸化型プローブメモリ
編集ナノ電極リソグラフィとも呼ばれ、チタン金属薄膜の表面をカンチレバーに電流を流すことにより陽極酸化させてナノサイズの酸化チタンドットを形成しそのふくらみを原子間力顕微鏡（AFM）で読み出す陽極酸化型プローブメモリ[2][3][1]
電荷蓄積型プローブメモリ
編集窒化シリコン膜/酸化シリコン膜（NO 膜）界面に電荷を蓄積する[4][1]
サーモメカニカルプローブメモリ
編集ミリピードメモリ(en:Millipede memory)という非公式の愛称が付けられており、半導体チップ上の高分子製記憶媒体の熱による変形を原子間力顕微鏡で使用されているようなカンチレバーで物理的にナノスケールの点字のような穴を形成することにより、読み書きするもので、記録密度は理論的には 1Tビット/平方インチとされる[5][6][7][1]。
強誘電体プローブメモリ
編集注釈・出典
編集- ^ a b c d e f 6 章 その他メモリ - 電子情報通信学会知識ベース (PDF)
- ^ E. B. Cooper; S. R. Manalis; H., Fang; H., Dai; K., Matsumoto; S. C. Minne; T., Hunt; C. F. Quate (1999-11). “Terabit-per-square-inch data storage with the atomic force microscope”. Applied Physics Letters (AIP Publishing) 75 (22): 3566-3568. doi:10.1063/1.125390. ISSN 0003-6951.
- ^ ナノ電極リソグラフィ
- ^ R. C. Barrett; C. F. Quate (1991-09). “Charge storage in a nitride-oxide-silicon medium by scanning capacitance microscopy”. Journal of Applied Physics (AIP Publishing) 70 (5): 2725-2733. doi:10.1063/1.349388. ISSN 0021-8979.
- ^ IBMの「Millipede(ヤスデ)」プロジェクト
- ^ G., Binnig; M., Despont; U., Drechsler; W., Haberle; M., Lutwyche; P., Vettiger; H. J. Mamin; B. W. Chui; T. W. Kenny (1999-03). “Ultrahigh-density atomic force microscopy data storage with erase capability”. Applied Physics Letters (AIP Publishing) 74 (9): 1329-1331. doi:10.1063/1.123540. ISSN 0003-6951.
- ^ アメリカ合衆国特許第 5,856,967号
- ^ Paruch, Patrycja; Tybell, T; Triscone, J-M (2001). “Nanoscale control of ferroelectric polarization and domain size in epitaxial Pb(Zr0.2Ti0.8)O3 thin films”. Applied Physics Letters (AIP Publishing) 79 (4): 530-532. doi:10.1063/1.1388024.
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