ジョン・ルイス・モル(John Louis Moll、1921年12月21日 - 2011年7月21日)はアメリカ合衆国の電子技術者。固体物理学への貢献で知られる。

ジョン・L・モル
John L. Moll
生誕 (1921-12-21) 1921年12月21日
アメリカ合衆国の旗 アメリカ合衆国オハイオ州フルトン郡
死没 2011年7月19日(2011-07-19)(89歳没)
アメリカ合衆国の旗 アメリカ合衆国カリフォルニア州パロアルト
居住 アメリカ合衆国の旗 アメリカ合衆国
国籍 アメリカ合衆国の旗 アメリカ合衆国
主な業績 Ebers–Moll model
MOS diode
Step recovery diode
サイリスタ
主な受賞歴 エジソンメダル(1991年)
プロジェクト:人物伝
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経歴

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オハイオ州フルトン郡Wauseonに、メノナイトで農民の両親の間に生まれ、オハイオ州立大学で1943年に物理学の学士号を取得し、1944~45年にはランカスターRCA研究所に在籍していた。1952年にオハイオ州立大学で電気工学の博士号を取得した。

1952年から1958年まで、ベル研究所で半導体技術の研究グループを率いた。そこで、半導体材料としてのシリコンの優位性を認識し、二酸化ケイ素によるトランジスタのマスキング、ガス拡散によるドーピング、半導体-金属コンタクトなどの技術開発に関わった[1]

1958年から1972年までスタンフォード大学の教授を務めた。1970年からフェアチャイルドセミコンダクター社、1974年から1996年に退職するまでヒューレット・パッカード社に在籍した。

バイポーラトランジスタの動作を数学的に説明する、Ebers-Mollモデル[2]は、エバースとモルにちなんで命名された[3]。また二人は1950年代半ばにサイリスタを開発したパイオニアでもある(モルは1956年にpnpn構造として実現)[4]

受賞・栄典

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また、IEEEフェロー、アメリカ物理学会全米技術アカデミー米国科学アカデミーの各会員である[5]

脚注

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  1. ^ ニック・ホロニアック The origin of diffused silicon technology at Bell Labs 1954-55, The Electrochemical Society Interface, Herbst 2007, pdf
  2. ^ Cel, J. (1月 2002年). “Ebers-Moll model of bipolar transistor with idealized diodes”. International Journal of Electronics Vol. 89, No. 1: p.7-18. 
  3. ^ J. J. Ebers, J. L. Moll Large signal behavior of junction transistors, Proceedings of the Institute of Radio Engineers, Band 42, 1954, S. 1761–1772
  4. ^ Kirpal: Chronik Elektrotechnik - Halbleiter, Transistoren, Mikroelektronik (Memento des Originals vom 1. 2月 2014 im Internet Archive)   情報 Der Archivlink wurde automatisch eingesetzt und noch nicht geprüft. Bitte prüfe Original- und Archivlink gemäß Anleitung und entferne dann diesen Hinweis.@2Vorlage:Webachiv/IABot/www.vde.com, VDE
  5. ^ a b John L. Moll”. IEEE History Network. 2011年3月1日閲覧。

参考文献

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