バックグラインド

バックグラインドとは、集積回路(IC)の積み重ねや高密度にパッケージができるようにウェハーを薄くする半導体デバイス製造の工程のこと。

ICは多くのプロセスを経て半導体ウェハー上に作られる。 現在主に使われているシリコンウェハーの直径は200mmと300mm、厚さはおよそ750μmである。 厚みは、最低限の機械的安定性を保証するため、また高温処理でのウェハーの反りを避けるために必要である。

スマートカード、USBメモリスティック、スマートフォン、携帯音楽プレイヤーや超小型電気製品は、様々な構成部品のサイズを最小化する必要がある。 そのためウェハーの裏面はウェハーダイシング英語版(個々のマイクロチップの分離)の前にグラインドされる。 75μmから50μmに薄くされたウェハーが一般的に用いられる。 [1]

グラインドの前にUV硬化の接着剤で貼り付けたテープで保護することで、バックグラインド中のダメージからウェハー表面を守り、またグラインド液や破片の混入によるウェハー表面汚染を防ぐ。 [2] またプロセス中はウェハーを脱イオン水で洗浄し、汚染を防ぐ。 [3]

このプロセスは「backlap」[4]、「backfinish」、または「wafer thinning」[5]とも呼ばれる。

関連項目編集

参考文献編集

  1. ^ International Technology Roadmap for Semiconductors 2009 edition, page 12-53.
  2. ^ BG Tape, by Lintec of America.
  3. ^ Wafer Preparation, by Syagrus Systems.
  4. ^ Introduction to Semiconductor Technology, by STMicroelectronics, page 6.
  5. ^ Wafer Backgrind at Silicon Far East.