半導体デバイス製造

電子デバイスの集積回路を製造する方法

半導体デバイス製造(はんどうたいデバイスせいぞう)では、主にLSIの製造プロセスについて述べる。

ウェハー製造編集

前工程編集

前工程は、ウェハー上にLSIチップを作る工程である。 前工程の前半部分は基板工程(フロントエンド)、後半部分は配線工程(バックエンド)と呼ばれる。

基板工程編集

基板工程(フロントエンド、FEOL)とは、トランジスタ形成までの工程のこと。洗浄、乾燥、イオン注入、熱処理、リソグラフィ、成膜、平坦化などのプロセスをくり返し行うことで回路を形成していく。

配線工程編集

配線工程(バックエンド、BEOL)とは、形成したトランジスタを配線する工程のこと。

後工程編集

後工程とは、LSIチップをパッケージ化する工程である。

検査・管理編集