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'''SOI
[[IBM]]社が作った技術で、IBMではサイモックス「SIMOX(Separation by Implantation of Oxygen)」とよんでいた。▼
▲[[IBM]]社が作った技術で、IBMではサイモックス「SIMOX(Separation by Implantation of Oxygen)」とよんでいた。SOI技術の正体はLSIの[[トランジスタ]]ゲートの[[絶縁膜]] (通常はSiO2) 上に形成されたSiの単結晶薄膜である。
トランジスタを形成するのに必要な[[シリコン]]結晶薄膜の理想は純粋シリコン結晶だが、その下の絶縁膜は完全な[[結晶]]ではないので、完全な結晶を作ることは困難だった。SOIはこれを克服して純粋なシリコン結晶薄膜を作らせる。▼
▲トランジスタを形成するのに必要な[[シリコン]]結晶薄膜の理想は純粋シリコン結晶だが、その下の絶縁膜は完全な[[結晶]]ではないので、完全な結晶を作ることは困難だった。SOIはこれを克服して純粋なシリコン結晶薄膜を作らせる。シリコン結晶表面からわずかに深い部分に酵素分子を埋め込み、それを高熱で酸化させることでなし得る。
最新LSIの製造プロセスではトランジスタの絶縁層が薄くなりすぎて、トランジスタをオフにしても電気が流れてしまう。これをリーク電流という。SOIはこの[[リーク電流]]を押さえ、絶縁層を越えて漏れ出る電荷の停留を45%減らすことが出来る。ただし、現状では工程が複雑でコストが高くつく。
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==関連用語==
*[[Athlon 64]]
[[en:silicon on insulator]]
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