「強誘電体メモリ」の版間の差分

*高[[温度|温]]処理に耐えられる[[白金|Pt]]や[[金|Au]]などを[[電極]]に用いると疲労[[現象]]<ref name="fatigue" />が著しくなり、10⁷回以下の[[強誘電体|分極反転]]で[[強誘電体|残留分極]]が顕著に減少する。ただし、[[二酸化イリジウム|IrO₂]]などの[[電極]][[材料]]を用いた場合は10¹²回以上の[[強誘電体|分極反転]]にも耐えられる。

 

そして、[[2014年]]に、その[[強誘電体|分極]]自由[[回転 (ベクトル解析)|回転]]状態の書き込みと読み込みの実証が報告されている<ref name="PZT_paper">{{Cite journal|last=|first=|author=[[R. K. Vasudevan]]|authorlink=|coauthors=[[Y. Matsumoto]], [[Xuan Cheng]], [[A. Imai]], [[S. Maruyama]], [[H. L. Xin]], [[M. B. Okatan]], [[S. Jesse]], [[S. V. Kalinin]] and [[V. Nagarajan]]|date=2014-09-18|year=|month=|title=Deterministic arbitrary switching of polarization in a ferroelectric thin film|journal=[[ネイチャー・コミュニケーション|Nature Communications]] 5|volume=|issue=4971|page=|pages=|publisher=[[ネイチャー|Nature Publishing Group]]|location=|issn=|isbn=|doi=10.1038/ncomms5971|pmid=|pmc=|naid=|oclc=|id=|url=http://www.nature.com/ncomms/2014/140918/ncomms5971/full/ncomms5971.html|format=|accessdate=|quote=}}</ref><ref name="PZT_PR">{{Cite press release|title=強誘電体メモリー、超高密度化に道|publisher=[[東北大学]]|date=2014年9月19日|url=http://www.tohoku.ac.jp/japanese/newimg/pressimg/tohokuuniv-press_20140919_02web.pdf|format=PDF|language=|accessdate=|archiveurl=|archivedate=|quote=}}</ref><ref name="PZT_news">{{Cite news|title=東北大、強誘電体メモリの記録密度を大幅に向上させる可能性を示す|newspaper=|date=2014-09-22|author=|authorlink=|author2=|authorlink2=|author3=|authorlink3=|author4=|authorlink4=|author5=|authorlink5=|author6=|authorlink6=|author7=|authorlink7=|author8=|authorlink8=|author9=|authorlink9=|url=http://news.mynavi.jp/news/2014/09/22/305/|accessdate=|format=|agency=|location=|publisher=[[マイナビ]]|isbn=|issn=|oclc=|pmid=|pmd=|bibcode=|doi=|id=|page=|pages=|at=|language=|trans_title=|quote=|archiveurl=|archivedate=|ref=|postscript=}}</ref>。