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「強誘電体メモリ」の版間の差分

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→‎実用: F値にセルサイズの記述がないためリンクを外す。（ http://www.ieice-hbkb.org/files/10/10gun_04hen_04.pdf の2ページに定義がある。
84行目:
[[世界]]で初めて'''FeRAM'''を実用化したのは[[レイコム・システムズ]]である。それは256[[ビット|bits]]品で非接触[[ICカード]]での利用をターゲットとして開発された。
 
'''FeRAM'''は、従来広く用いられてきた[[EEPROM]]よりも、動作が高速で[[消費電力]]が低く、[[セル]]サイズも15[[F値|F]]15F<sup>2</sup>と小さく<ref name="EEPROM_F">ゲート長の最小寸法をFとした時のセルサイズ。なおEEPROMでは40[[F値|F]]40F<sup>2</sup>以上である</ref>、[[フォトマスク|マスク]]の追加が少なくて済むなど[[集積回路|半導体]]製造プロセスとの相性も良い。このため、[[2006年]]に[[富士通]]の'''FRAM'''が[[ソニー]]の[[Felica]]に採用され<ref name="FRAM_FeliCa">{{Cite press release|title=FRAM搭載LSIがFeliCa方式ICカードに採用|publisher=[[富士通]]|date=2006年11月7日|url=http://pr.fujitsu.com/jp/news/2006/11/7.html|format=|language=|accessdate=|archiveurl=|archivedate=|quote=}}</ref>るなど、少なくとも日本国内においては、既に一般生活において身近に普及している。
 
ただし、[[パーソナルコンピュータ|PC]]などに搭載される[[主記憶装置|メインメモリ]]の代替としては未だに実用化の目途は立っていない。
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