ケイ酸ハフニウム(IV)(Hafnium(IV) silicate、HfSiO4)は、ハフニウムケイ酸塩である。天然にはハフノンとして産出するが、多くの場合ジルコニウムを含む。ケイ酸ハフニウムのジルコニウム置換体がケイ酸ジルコニウム英語版ジルコン)となる。融点2758度。

ケイ酸ハフニウムとケイ酸ジルコニウムの薄膜は化学気相成長法(主にMOCVD)によって作られ、半導体材料である二酸化ケイ素に代わる高誘電率誘電体(high-k dielectric)として使うことができる。

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