ナローギャップ半導体
ナローギャップ半導体（ナローギャップはんどうたい）とは、バンドギャップがケイ素に比べて比較的小さい（室温で1.11eVより小さい）半導体のこと。赤外線検出器や熱電変換素子などに用いられる。
ナローギャップ半導体の一覧 編集
| 名前 | 化学式 | グループ | バンドギャップ(300K) |
|---|---|---|---|
| テルル化カドミウム水銀 | Hg1-xCdxTe | II-VI | 0 から 1.5eV |
| テルル化亜鉛水銀 | Hg1-xZnxTe | II-VI | -0.15 から 2.25 eV |
| セレン化鉛 | PbSe | IV-VI | 0.27 eV |
| 硫化鉛(II) | PbS | IV-VI | 0.37 eV |
| テルル化鉛 | PbTe | IV-VI | 0.32 eV |
| ヒ化インジウム | InAs | III-V | 0.354 eV |
| アンチモン化インジウム | InSb | III-V | 0.17 eV |
| アンチモン化ガリウム | GaSb | III-V | 0.67 eV |
| ヒ化カドミウム | Cd3As2 | II-V | 0.5 から 0.6 eV |
| テルル化ビスマス | Bi2Te3 | 0.21 eV | |
| テルル化スズ | SnTe | IV-VI | 0.18 eV |
| セレン化スズ | SnSe | IV-VI | 0.18 eV |
| セレン化銀(I) | Ag2Se | 0.07 eV | |
| ケイ化マグネシウム | Mg2Si | II-IV | 0.73 eV[1] |
脚注 編集
- ^ Nelson, J. T. Electrical and optical properties of MgPSn and MggSi. Am. J. Phys. 23: 390. 1955.
関連項目 編集
参考資料 編集
- Nelson, J. T. Electrical and optical properties of MgPSn and MggSi. Am. J. Phys. 23: 390. 1955.
- Dornhaus, R., Nimtz, G., Schlicht, B. (1983). Narrow-Gap Semiconductors. Springer Tracts in Modern Physics 98, ISBN 978-3-540-12091-9 (print) ISBN 978-3-540-39531-7 (online)
- Nimtz, G. (1980), Recombination in Narrow-Gap Semiconductors, Physics Reports, 63, 265-300