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アンチモン化インジウム(アンチモンかインジウム、indium antimonide)は、インジウムアンチモンからなる組成式がInSbの半導体である。

アンチモン化インジウム
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識別情報
CAS登録番号 1312-41-0 チェック
PubChem 3468413
ChemSpider 2709929 チェック
EC番号 215-192-3
国連/北米番号 1549
RTECS番号 NL1105000
特性
化学式 InSb
モル質量 236.58 g mol−1
外観 暗灰色、金属性結晶
密度 5.775 g cm−3
融点

527 °C, 800 K, 981 °F

バンドギャップ 0.17 eV
電子移動度 7.7 mC s g−1 (at 27 °C)
熱伝導率 180 mW K−1 cm−1 (at 27 °C)
屈折率 (nD) 4.0
構造
結晶構造 閃亜鉛鉱構造
空間群 T2d-F-43m
配位構造 四面体形
危険性
GHSピクトグラム 急性毒性(低毒性) 水生環境への有害性
GHSシグナルワード WARNING
Hフレーズ H302, H332, H411
Pフレーズ P273
EU分類 有害 Xn 環境への危険性 N
Rフレーズ R20/22, R51/53
Sフレーズ S61
特記なき場合、データは常温 (25 °C)・常圧 (100 kPa) におけるものである。

概要編集

アンチモン化インジウムの結晶構造閃亜鉛鉱構造。

用途編集

アンチモン化インジウムは、シリコンヒ化ガリウム (GaAs) に比べて電子移動度が高いものの、バンドギャップが0.17 eVと非常に小さいため、室温附近で十分な絶縁抵抗を取ることが出来ないのでトランジスタなどの能動素子には使えず、ホール素子磁気抵抗効果素子や冷却して赤外線撮像素子等に用いられる[1]

アンチモン化インジウムは、電子の高い運動性と狭いエネルギーバンドギャップで知られ、テラヘルツの放射源として期待される[2]

1992年にSTS-47スペースシャトルエンデバー号毛利衛がSpacelab-Jミッションで行 われた微小重力下での赤外線加熱浮遊帯域溶融法実験において単結晶の作成に成功した[3]

出典編集

外部リンク編集