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ケイ素

原子番号14の元素
曖昧さ回避 「シリコン」はこの項目へ転送されています。
  • ケイ素原子を含む高分子化合物全般については「シリコーン」をご覧ください。
  • シリコーン等のケイ素化合物を主成分とする合成樹脂については「ケイ素樹脂」をご覧ください。
  • ケイ素樹脂のうち、ゴム状のものについては「シリコーンゴム」をご覧ください。

ケイ素（ケイそ、珪素、硅素、英: silicon、羅: silicium）は、原子番号 14 の元素である。元素記号は Si。原子量は 28.1。「珪素」「硅素」「シリコン」とも表記・呼称される。地球の主要な構成元素のひとつ。半導体部品は非常に重要な用途である。

アルミニウム ← ケイ素 → リン
C
↑
Si
↓
Ge
Element 1: 水素 (H), 非金属
Element 2: ヘリウム (He), 希ガス
Element 3: リチウム (Li), アルカリ金属
Element 4: ベリリウム (Be), 卑金属
Element 5: ホウ素 (B), 金属
Element 6: 炭素 (C), 非金属
Element 7: 窒素 (N), 非金属
Element 8: 酸素 (O), 非金属
Element 9: フッ素 (F), ハロゲン
Element 10: ネオン (Ne), 希ガス
Element 11: ナトリウム (Na), アルカリ金属
Element 12: マグネシウム (Mg), 卑金属
Element 13: アルミニウム (Al), 卑金属
Element 14: ケイ素 (Si), 金属
Element 15: リン (P), 非金属
Element 16: 硫黄 (S), 非金属
Element 17: 塩素 (Cl), ハロゲン
Element 18: アルゴン (Ar), 希ガス
Element 19: カリウム (K), アルカリ金属
Element 20: カルシウム (Ca), アルカリ土類金属
Element 21: スカンジウム (Sc), 遷移金属
Element 22: チタン (Ti), 遷移金属
Element 23: バナジウム (V), 遷移金属
Element 24: クロム (Cr), 遷移金属
Element 25: マンガン (Mn), 遷移金属
Element 26: 鉄 (Fe), 遷移金属
Element 27: コバルト (Co), 遷移金属
Element 28: ニッケル (Ni), 遷移金属
Element 29: 銅 (Cu), 遷移金属
Element 30: 亜鉛 (Zn), 卑金属
Element 31: ガリウム (Ga), 卑金属
Element 32: ゲルマニウム (Ge), 金属
Element 33: ヒ素 (As), 金属
Element 34: セレン (Se), 非金属
Element 35: 臭素 (Br), ハロゲン
Element 36: クリプトン (Kr), 希ガス
Element 37: ルビジウム (Rb), アルカリ金属
Element 38: ストロンチウム (Sr), アルカリ土類金属
Element 39: イットリウム (Y), 遷移金属
Element 40: ジルコニウム (Zr), 遷移金属
Element 41: ニオブ (Nb), 遷移金属
Element 42: モリブデン (Mo), 遷移金属
Element 43: テクネチウム (Tc), 遷移金属
Element 44: ルテニウム (Ru), 遷移金属
Element 45: ロジウム (Rh), 遷移金属
Element 46: パラジウム (Pd), 遷移金属
Element 47: 銀 (Ag), 遷移金属
Element 48: カドミウム (Cd), 卑金属
Element 49: インジウム (In), 卑金属
Element 50: スズ (Sn), 卑金属
Element 51: アンチモン (Sb), 金属
Element 52: テルル (Te), 金属
Element 53: ヨウ素 (I), ハロゲン
Element 54: キセノン (Xe), 希ガス
Element 55: セシウム (Cs), アルカリ金属
Element 56: バリウム (Ba), アルカリ土類金属
Element 57: ランタン (La), ランタノイド
Element 58: セリウム (Ce), ランタノイド
Element 59: プラセオジム (Pr), ランタノイド
Element 60: ネオジム (Nd), ランタノイド
Element 61: プロメチウム (Pm), ランタノイド
Element 62: サマリウム (Sm), ランタノイド
Element 63: ユウロピウム (Eu), ランタノイド
Element 64: ガドリニウム (Gd), ランタノイド
Element 65: テルビウム (Tb), ランタノイド
Element 66: ジスプロシウム (Dy), ランタノイド
Element 67: ホルミウム (Ho), ランタノイド
Element 68: エルビウム (Er), ランタノイド
Element 69: ツリウム (Tm), ランタノイド
Element 70: イッテルビウム (Yb), ランタノイド
Element 71: ルテチウム (Lu), ランタノイド
Element 72: ハフニウム (Hf), 遷移金属
Element 73: タンタル (Ta), 遷移金属
Element 74: タングステン (W), 遷移金属
Element 75: レニウム (Re), 遷移金属
Element 76: オスミウム (Os), 遷移金属
Element 77: イリジウム (Ir), 遷移金属
Element 78: 白金 (Pt), 遷移金属
Element 79: 金 (Au), 遷移金属
Element 80: 水銀 (Hg), 卑金属
Element 81: タリウム (Tl), 卑金属
Element 82: 鉛 (Pb), 卑金属
Element 83: ビスマス (Bi), 卑金属
Element 84: ポロニウム (Po), 金属
Element 85: アスタチン (At), ハロゲン
Element 86: ラドン (Rn), 希ガス
Element 87: フランシウム (Fr), アルカリ金属
Element 88: ラジウム (Ra), アルカリ土類金属
Element 89: アクチニウム (Ac), アクチノイド
Element 90: トリウム (Th), アクチノイド
Element 91: プロトアクチニウム (Pa), アクチノイド
Element 92: ウラン (U), アクチノイド
Element 93: ネプツニウム (Np), アクチノイド
Element 94: プルトニウム (Pu), アクチノイド
Element 95: アメリシウム (Am), アクチノイド
Element 96: キュリウム (Cm), アクチノイド
Element 97: バークリウム (Bk), アクチノイド
Element 98: カリホルニウム (Cf), アクチノイド
Element 99: アインスタイニウム (Es), アクチノイド
Element 100: フェルミウム (Fm), アクチノイド
Element 101: メンデレビウム (Md), アクチノイド
Element 102: ノーベリウム (No), アクチノイド
Element 103: ローレンシウム (Lr), アクチノイド
Element 104: ラザホージウム (Rf), 遷移金属
Element 105: ドブニウム (Db), 遷移金属
Element 106: シーボーギウム (Sg), 遷移金属
Element 107: ボーリウム (Bh), 遷移金属
Element 108: ハッシウム (Hs), 遷移金属
Element 109: マイトネリウム (Mt), 遷移金属
Element 110: ダームスタチウム (Ds), 遷移金属
Element 111: レントゲニウム (Rg), 遷移金属
Element 112: コペルニシウム (Cn), 卑金属
Element 113: ニホニウム (Nh), 卑金属
Element 114: フレロビウム (Fl), 卑金属
Element 115: モスコビウム (Mc), 卑金属
Element 116: リバモリウム (Lv), 卑金属
Element 117: テネシン (Ts), ハロゲン
Element 118: オガネソン (Og), 希ガス
Silicon has a cubic crystal structure
14Si
外見
暗灰色
Silicon wafer with mirror finish.jpg
Silicon Spectra.jpg
ケイ素のスペクトル線
一般特性
名称, 記号, 番号 ケイ素, Si, 14
分類 半金属
族, 周期, ブロック 14, 3, p
原子量 28.0855(3) 
電子配置 [Ne] 3s2 3p2
電子殻 2, 8, 4（画像）
物理特性
相 固体
密度（室温付近） 2.3290 g/cm3
融点での液体密度 2.57 g/cm3
融点 1687 K, 1414 °C, 2577 °F
沸点 2628 K, 2355[1] °C, 4271 °F
融解熱 50.21 kJ/mol
蒸発熱 359 kJ/mol
熱容量 (25 °C) 19.789 J/(mol·K)
蒸気圧
圧力 (Pa) 1 10 100 1 k 10 k 100 k
温度 (K) 1908 2102 2339 2636 3021 3537
原子特性
酸化数 4, 3 , 2 , 1[2] -1, -2, -3, -4
(両性酸化物)
電気陰性度 1.90（ポーリングの値）
イオン化エネルギー 第1： 786.5 kJ/mol
第2： 1577.1 kJ/mol
第3： 3231.6 kJ/mol
原子半径 111 pm
共有結合半径 111 pm
ファンデルワールス半径 210 pm
その他
結晶構造 立方晶系
磁性 反磁性[3]
電気抵抗率 (20 °C) 103 [4]Ω·m
熱伝導率 (300 K) 149 W/(m·K)
熱膨張率 (25 °C) 2.6 µm/(m·K)
音の伝わる速さ
（微細ロッド）		 (20 °C) 8433 m/s
ヤング率 185[4] GPa
剛性率 52[4] GPa
体積弾性率 100 GPa
ポアソン比 0.28[4]
モース硬度 7
CAS登録番号 7440-21-3
バンドギャップ energy at 300 K 1.12 eV
主な同位体
詳細はケイ素の同位体を参照
同位体 NA 半減期 DM DE (MeV) DP
28Si 92.23 % 中性子14個で安定
29Si 4.67 % 中性子15個で安定
30Si 3.1 % 中性子16個で安定
32Si syn 170 y β− 13.020 32P
表示

地殻中に大量に存在するため鉱物の構成要素として重要であり、ケイ酸塩鉱物として大きなグループを形成している。これには Si-O-Si 結合の多様性を反映したさまざまな鉱物が含まれている。しかしながら生物とのかかわりは薄く、知られているのは、放散虫・珪藻・シダ植物・イネ科植物などにおいて二酸化ケイ素のかたちでの骨格への利用に留まる。栄養素としての必要性はあまりわかっていない。炭素とケイ素との化学的な類似から、SF などではケイ素を主要な構成物質とするケイ素生物が想定されることがある。

バンドギャップが常温付近で利用するために適当な大きさであること、ホウ素やリンなどの不純物を微量添加させることにより、p型半導体、n型半導体のいずれにもなることなどから、電子工学上重要な元素である。半導体部品として利用するためには高純度である必要があり、このため精製技術が盛んに研究されてきた。現在、ケイ素は99.9999999999999 % (15N[5]) まで純度を高められる。また、Si(111) 基板はAFMやSTMの標準試料としてよく用いられる。

目次

性質編集

常温・常圧で安定な結晶構造は、ダイヤモンド構造。比重 2.33、融点 1410 °C (1420 °C)、沸点 2600 °C（他に2355 °C、3280 °Cという実験値あり）。ダイヤモンド構造のケイ素は、1.12 eVのバンドギャップ（実験値）をもつ半導体である。これは非金属であるが、圧力（静水圧）を加えるとβスズ構造に構造相転移する。このβスズ構造のケイ素は金属である。周期表においてすぐ上の元素は炭素だが、その常温常圧での安定相であるグラファイト構造は、ケイ素においては安定な構造として存在できない。

歴史編集

1787年にアントワーヌ・ラヴォワジエがはじめて元素として記載し、ラテン語で「燧石」を意味する "silex"・"silicis" にちなみ "silicon" と命名。だがラヴォワジエは燧石そのものを元素だと思っており、1800年になってハンフリー・デービーにより化合物と判明したことからこれは否定された。1823年にイェンス・ベルセリウスが四フッ化ケイ素とカリウムを加熱して単離に成功した。しかし、それ以前の1811年、ジョセフ・ルイ・ゲイ＝リュサックとルイ・テナールが同様の方法でアモルファスシリコンの分離に成功したと考えられている。

用途編集

 
ケイ素の単結晶

赤外光学系編集

ケイ素は赤外域（波長2-6 μm）で高い透過率があり、レンズや窓の素材に用いられる。波長4 μmの屈折率は3.4255[6]。

半導体編集

最も重要な用途としては、コンピュータのCPU（中央処理装置）、四塩化ケイ素やトリクロロシランなどから作られる高純度ケイ素が半導体作成に用いられることが挙げられる。また、液晶ディスプレイの TFT や太陽電池にはアモルファスシリコンや多結晶シリコンなどが用いられる。ヒ化ガリウムや窒化ガリウムなどの化合物半導体の基板にシリコンを用いれば大幅な低価格化が可能であり、様々な研究が進められている。

ケイ素含有合金編集

電気炉における製鉄材料として鉄1トンあたり4 kg前後のケイ素が添加されるほか、ケイ素合金として製鉄の脱酸素剤に用いられる。そのほかに、ケイ素を混ぜた鋼板(ケイ素鋼板)は、うず電流による損失が少なくなるため、変圧器に使われている。アルミニウム工業の分野でもケイ素の合金が使われている。また、鉛レス黄銅にも添加される。

ケイ素含有セラミックス類編集

ケイ素の酸化物（シリカ）を原料とするガラスは、窓その他で使われるほか、繊維状にしたグラスウールは断熱材や吸音材としても用途がある。ゼオライトは、イオン交換体、吸着剤あるいは、有機化学工業における触媒ともなっている。シリカゲルは、非常に利用しやすい乾燥剤になる。

炭化ケイ素は、耐火材や抵抗体として使われたり、高いモース硬度 (9.5) を持つために、研磨剤として使われる。その他のケイ素化合物として、アルミノケイ酸塩が粘土に含まれ、陶器やセメント・煉瓦などセラミックスと呼ばれる材料の主成分になっているほか、カルシウム化合物を除去する働きから、水の精製に使われるなどしている。

アボガドロ数の決定編集

「アボガドロ数」も参照

ケイ素の単結晶は半導体材料として工業上重要であるため、最も高純度・低欠陥な結晶が実現されている材料の一つである。このことから、28Siのほぼ無欠陥な単結晶により真球を作成し、この真球に含まれる原子数を数えることによってアボガドロ数を決定する試みが行われている[7]。

ケイ酸塩・ケイ素樹脂編集

ケイ酸塩は、さまざまな形で地殻上に存在しており、天然に存在するケイ素化合物のほとんどすべてが二酸化ケイ素およびケイ酸塩である。工業的にも広く用いられ、ガラス、陶磁器など、枚挙に暇がない。アスベストは、繊維状のケイ酸塩鉱物であり、その耐薬品性や耐火性から以前は建材などに広く用いられたが、人体への悪影響が問題になったため、使用量は激減している。日本ではアスベストによる健康被害が社会問題となり、労災認定や健康被害を受けた国民に対しての補償問題、また、依然として多く残るアスベストの撤去に対しての問題を抱える。

有機基を有するケイ素二次元および三次元酸化物はシリコーンと呼ばれる。このものは、優れた耐熱性、耐薬品性、低い毒性などの有用な性質を示し、油状のものはワックス、熱媒体、消泡剤などに用いられる。三次元シリコーンはゴム弾性を示し、ゴム状のものはホースやチューブ、樹脂状のものは塗料や絶縁材、接着剤など各種の用途に利用される。

製法編集

原料編集

工業用ケイ素の主原料は SiO2 から成る二酸化ケイ素（珪石、珪砂、シリカとも）である。日本国内の埋蔵量は2億トンあるとされるが、アルミニウムと同様、酸化物から還元するには大量の電力を必要とするため、金属シリコンの状態になってから輸入するのが一般的である。

世界の二酸化ケイ素の埋蔵量は極めて潤沢であり、高純度のものも世界に広く分布する[8]。二酸化ケイ素#埋蔵量を参照。

精製編集

金属グレード (MG) シリコン
ケイ素の単体はカーボン電極を使用したアーク炉を用いて、二酸化ケイ素を還元して得る。この際、精製されたケイ素は純度99%程度のものである。
 
 
高純度ポリシリコン
さらに純度を高めるには、塩素と反応させ四塩化ケイ素とし（ガス化）、これを蒸留して純度の高い製品を得る。
 
 
半導体グレード (SEG) シリコン
集積回路など半導体素子に使用する超高純度のケイ素（純度 11N 以上）は、上記の高純度シリコンからさらに FZ（フローティングゾーン）法などのゾーンメルティングや Cz（チョクラルスキー）法などの単結晶成長法による析出工程を経ることで製造される。
ゾーンメルト法では融解帯に不純物が濃縮する過程を繰り返すことで高純度のケイ素を得る。Cz 法においては偏析を利用して高純度化するため、原料であるポリシリコン（多結晶珪素）には非常に純度の高いものが要求される。半導体に利用するには基本的に結晶欠陥（転位）のない単結晶が必要なので、FZ 法（フローティングゾーン）においても Cz 法（チョクラルスキー）においても単結晶を回転させながら一旦細くし、転位を外に追い出した段階で結晶の径を大きくすることにより所定の大きさの結晶を得る。FZ 法は大口径化に向かないため、産業用に使用されているシリコンウェーハの大部分は Cz 法によって製造されている。現在製品化されているシリコンウェーハの径は直径300 mmまでである。
太陽電池グレード (SOG) シリコン
再生エネルギー発電の需要増大が起きる前の太陽電池の製造および需要事情は 半導体グレード (SEG)グレードほどの需要に応えられるような超高純度は必要なく、7N 程度の純度で済み、また多結晶でも充分目的が果たせられる。このため上記の単結晶シリコンインゴットの端材などが原料に利用されてきた。
しかし、再生エネルギー発電の需要増大に伴い、専用の太陽電池グレード（ソーラーグレード）シリコンの生産法が開発されている。手順としては上記の半導体グレード(SEG)の精製工程を簡略化した方法のほか、下記のような手法が用いられる。半導体グレード(SEG)に比べ、使用するエネルギーや製造費用が数分の1以下になるとされる手法が多い（ソーラーグレードシリコンを参照）。
  • 流動床炉 (FBR) 法：種結晶を気流で巻き上げながら、表面にシリコンを析出させる。
  • 冶金法：金属グレードシリコンから冶金学的手法によって直接ソーラーグレードシリコンを製造する。
  • 水ガラス化法：珪石 (SiO2) を水ガラス化した状態で高純度化してから還元する。
  • NEDO溶融精製法：金属グレードシリコンを電子ビームやプラズマで溶融させて特定の不純物を除いたあと、一方向凝固させる。
ソーラーグレードシリコンは2006年（平成18年）頃には高純度シリコン市場の約半分を占め、今後もその割合は拡大すると見られている[9]。今後はソーラーグレードが高純度シリコン生産量の大部分を占め、半導体級は特殊品になっていくと予測されている[10]。また太陽電池用シリコン原料は2008年（平成20年）までは供給の逼迫で価格が高止まりしていたが、2009年（平成21年）からは価格の低下が予測されている[11]。

ケイ素化合物編集

同位体編集

詳細は「ケイ素の同位体」を参照

生物編集

  • 珪藻はケイ素を外部から取り込み細胞壁に利用している。珪藻の堆積物は珪藻土と呼ばれる。
  • 一部の植物ではケイ素の量と成長との間に関連がある。また病原体への抵抗力とも関連している。[12]
  • ラットでは、骨と結合組織(皮膚、爪、髪、気管、腱、大動脈)にケイ素が多い。[12]
  • ヒトの体内には平均1グラムのケイ素が含まれる。[13]

摂取編集

摂取基準編集

安全性に関するデータが十分ではなく、日本や米国でも摂取基準などは定められていない。

推定摂取量編集

ヒトの推定摂取量を次に示す(表)。

ケイ素の推定摂取量[12]
西側諸国 20 - 50 mg/日
インド 143 - 204 mg/日[14]
中国 139 mg/日

以下はイギリスでの食品中のケイ素の量を計測したデータ。ケイ素を比較的多く含む食品を抜粋した。

安全性編集

  • 健康な腎機能を有する人では、通常の食物からの摂取量では問題が起こることはないと考えられている[12][16]。
  • 医薬品やサプリメント等によるケイ素を含む化合物の長期の摂取では腎結石、腎障害などを起こす可能性がある。[12]
  • ケイ素が172mg Si/L含まれる湧水の摂取によると考えられる腎結石の報告がある。[17] 十分に管理されていない湧水や井戸水、鉱泉などの天然水には高濃度のケイ素が含まれることがある。
  • ケイ素を含む粉体の吸入により珪肺など呼吸器系の障害を起こすことがある。

脚注編集

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  1. ^ T. Michael Duncan, Jeffrey Allen Reimer, Chemical engineering design and analysis: an introduction, p. 25, Cambridge University Press, 1998 ISBN 0521639565
  2. ^ R. S. Ram et al. "Fourier Transform Emission Spectroscopy of the A2D–X2P Transition of SiH and SiD" J. Mol. Spectr. 190, 341–352 (1998)
  3. ^ Magnetic susceptibility of the elements and inorganic compounds, in Handbook of Chemistry and Physics 81st edition, CRC press.
  4. ^ a b c d http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/Si
  5. ^ 「9」(Nine)が15個並ぶことを意味する略称。
  6. ^ 岸川利郎 (1990). ユーザーエンジニアのための光学入門. オプトロニクス. ISBN 4-900474-30-4. 
  7. ^ B. Andreas et al. (2011). “Determination of the Avogadro Constant by Counting the Atoms in a 28Si Crystal”. Physical Review Letters (American Physical Society) 106: 030801. doi:10.1103/PhysRevLett.106.030801. http://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.106.030801. 
  8. ^ SAND AND GRAVEL(INDUSTRIAL), アメリカ地質調査所
  9. ^ Wacker Polysilicon: Expansion Announcement June 2006（Wacker 社による生産量拡大のアナウンス資料）
  10. ^ 河本洋、奥和田久美、高純度シリコン原料技術の開発動向(科学技術政策研究所)
  11. ^ New Energy Finance Predicts 43% Solar Silicon Price Drop, greentechmedia, 18 August 2008
  12. ^ a b c d e “SILICON AND BONE HEALTH”. The journal of nutrition, health & aging 11 (2). (2007). PMID 17435952. https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC2658806/. 
  13. ^ John Emsley (2011). Nature's Building blocks (New Edition ed.). Oxford University Press. p. 482. ISBN 978-0-19-960563-7. 
  14. ^ インドは男性のビール摂取量が多く、ビールにはケイ素が多く含まれるため数値が高いと考えられている。シリカ#ろ過助剤を参照のこと。
  15. ^ “A provisional database for the silicon content of foods in the United Kingdom”. British Journal of Nutrition 94. (2005). doi:10.1079/BJN20051542. PMID 16277785. 
  16. ^ ケイ素、ケイ素化合物 - 「健康食品」の安全性・有効性情報（国立健康・栄養研究所）
  17. ^ “Renal silica calculi in an infant”. International Journal of Urology 11 (2). (Feb 2004). doi:10.1111/j.1442-2042.2004.00746.x. PMID 14706018. 

参考文献編集

  • 『シリコンの物語　エレクトロニクスと情報革命を担う』フレデリック・サイツ著　堂山 昌男・北田 正弘訳 内田老鶴圃　2000年発行 ISBN 4-7536-6131-8

関連項目編集

  ウィキメディア・コモンズには、ケイ素に関連するメディアがあります。
  ウィクショナリーにケイ素の項目があります。

外部リンク編集

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