窒化スカンジウム

化合物

窒化スカンジウム(Scandium nitride)は、III-V間接遷移半導体である。スカンジウム陽イオンと窒化物陰イオンから構成される。昇華再凝縮により、タングステンホイル上に結晶を成長させることができる[1]格子定数0.451 nmの岩塩型結晶構造であり、間接遷移が0.9 eV、直接遷移が2-2.4 eVである[1][2]。これらの結晶は、窒素ガスをインジウム-スカンジウム溶融物に溶解し、マグネトロンスパッタ堆積分子線エピタキシー法ハイドライド気相成長法やその他の沈殿法により合成することができる[2][3]。窒化スカンジウムは、二酸化ケイ素または二酸化ハフニウム基板上の半導体の効果的なゲートでもある[4]

窒化スカンジウム
識別情報
CAS登録番号 25764-12-9
PubChem 117629
ChemSpider 105117
EC番号 247-247-2
特性
化学式 ScN
モル質量 58.963
密度 4.4 g/cm3
融点

2600 °C, 2873 K, 4712 °F

危険性
GHSピクトグラム 急性毒性(低毒性)
GHSシグナルワード 危険(DANGER)
Hフレーズ H228
関連する物質
その他の陰イオン リン化スカンジウ
ヒ化スカンジウム
アンチモン化スカンジウ
ビスマス化スカンジウ
その他の陽イオン 窒化イットリウム
窒化ランタン
特記なき場合、データは常温 (25 °C)・常圧 (100 kPa) におけるものである。

出典

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  1. ^ a b Gu, Zheng; Edgar, J H; Pomeroy, J; Kuball, M; Coffey, D W (August 2004). “Crystal Growth and Properties of Scandium Nitride”. Journal of Materials Science: Materials in Electronics 15 (8): 555–559. doi:10.1023/B:JMSE.0000032591.54107.2c. 
  2. ^ a b Biswas, Bidesh; Saha, Bivas (2019-02-14). “Development of semiconducting ScN”. Physical Review Materials 3 (2). doi:10.1103/physrevmaterials.3.020301. ISSN 2475-9953. https://doi.org/10.1103/physrevmaterials.3.020301. 
  3. ^ Zhang, Guodong; Kawamura, Fumio; Oshima, Yuichi; Villora, Encarnacion; Shimamura, Kiyoshi (4 August 2016). “Synthesis of Scandium Nitride Crystals from Indium–Scandium Melts”. International Journal of Applied Ceramic Technology 13 (6): 1134–1138. doi:10.1111/ijac.12576. 
  4. ^ Yang, Hyundoek; Heo, Sungho; Lee, Dongkyu; Choi, Sangmoo; Hwang, Hyunsang (13 January 2006). “Effective Work Function of Scandium Nitride Gate Electrodes on SiO2 and HfO2”. Japanese Journal of Applied Physics 45 (2): L83–L85. doi:10.1143/JJAP.45.L83.